SI4563DY-T1-E3

SI4563DY-T1-E3

SI4563DY-T1-E3

  • Available: 1000
  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 产品编号: SI4563DY-T1-E3
  • 详细描述: MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 40V 8A 3.25W 表面贴装型 8-SOIC
  • 类别: 分立半导体产品 | 晶体管 - FET,MOSFET - FET、MOSFET 阵列
  • RoHS 状态: 符合 ROHS3 规范
  • 规格书: 规格书
Reference Price (USD)
1+
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10+
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产品属性

制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 -
标准包装 2500
产品状态 停产
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 16 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 85nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2390pF @ 20V
功率 - 最大值 3.25W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
基本产品编号 SI4563

环境与出口

RoHS 状态 符合 ROHS3 规范
湿气敏感度等级 (MSL) 1(无限)
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

如何购买

购买流程 提交询盘 > 确认报价 > 发送订单 > 完成付款 > 发货
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交期 对于库存产品,订单预计在3天内发货。
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产品类别 A-Z

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